МРФКС1К80Х: 1800 В ЦВ преко 1.8-400 МХз, 65 В широкопојасна РФ снага ЛДМОС транзистор-РФ транзистор-ФМУСЕР ФМ / ТВ емитовање на једном месту

МРФКС1К80Х: 1800 В ЦВ преко 1.8-400 МХз, 65 В широкопојасни РФ снага ЛДМОС транзистор Опис МРФКС1К80Х је први уређај заснован на новој 65 В ЛДМОС технологији који се фокусира на једноставност употребе. Овај транзистор високе робусности дизајниран је за употребу у високим ВСВР индустријским, научним и медицинским апликацијама, као и за радио и ВХФ ТВ емисије, ваздухопловство испод ГХз и мобилне радио апликације. Његов неуспоредив улазни и излазни дизајн омогућава употребу широког фреквенцијског опсега од 1.8 до 400 МХз. МРФКС1К80Х је компатибилан са пиновима (иста ПЦБ) са својом пластичном верзијом МРФКС1К80Н, са МРФЕ6ВП61К25Х и МРФЕ6ВП61К25Н (1250 В @ 50 В) и са МРФ1К50Х и МРФ1К50Н (1500 В при 50 В). одлика

детаљ

Претходна:1 ПЦС МРФ454 оригинални РФ транзистор

следећи:ФМУСЕР оригинални нови МРФ1535НТ1 РФ транзистор снаге Повер МОСФЕТ транзистор

Цена (УСД)	Кти (ПЦС)	Схиппинг (УСД)	Укупно (УСД)	начин куповине	Плаћање
245	1	0	245	ДХЛ
				ДХЛ

МРФКС1К80Х: 1800 В ЦВ преко 1.8-400 МХз, 65 В широкопојасни РФ напајање ЛДМОС транзистор

Opis

МРФКС1К80Х је први уређај заснован на новој 65 В ЛДМОС технологији која фокусира се на једноставност употребе. Овај транзистор са великом робусношћу дизајниран је за употребу у високим ВСВР индустријске, научне и медицинске примене, као и радио и ВХФ ТВ апликације за емитовање, ваздухопловство испод ГХз и мобилне радио станице. Његов неуспоредив улаз и Излазни дизајн омогућава употребу широког фреквенцијског опсега од 1.8 до 400 МХз.МРФКС1К80Х је компатибилан са пиновима (иста ПЦБ) са својом пластичном верзијом МРФКС1К80Н, са МРФЕ6ВП61К25Х и МРФЕ6ВП61К25Н (1250 В @ 50 В) и са МРФ1К50Х и МРФ1К50Н (1500 В @ 50 В).

Карактеристике
●Заснован на новој 65 В ЛДМОС технологији, дизајнираној за једноставну употребу
●Карактеристично од 30 до 65 В за проширени опсег снаге
●Неуспоредиви улаз и излаз
●Висок пробојни напон за побољшану поузданост и већу ефикасност архитектуре
●Висока способност апсорпције енергије од лавинских извора
●Висока храпавост. Ручке 65: 1 ВСВР.
●РоХС

●Опција нижег топлотног отпора у преформираном пластичном паковању: МРФКС1К80Н

aplikacije

● Индустријски, научни, медицински (ИСМ)
● Генерација ласера
● Производња плазме
● Акцелератори честица
● МРИ, РФ аблација и лечење коже
● Индустријски системи грејања, заваривања и сушења
● Радио и ВХФ ТВ пренос
● Ваздухопловство
● ВФ комуникација

● Радар

Пакет укључује

1xМРФКС1К80Х РФ напајање ЛДМОС транзистор