ФМУСЕР Оригинални нови МРФКСНУМКСВПКСНУМКСХ РФ транзистор МОСФЕТ транзистор КСНУМКСМХз КСНУМКСВ бочни Н-канални широкопојасни РФ транзистор-ФМУСЕР ФМ / ТВ емитовање

ФМУСЕР оригинални нови МРФ6ВП2600Х РФ транзистор снаге МОСФЕТ транзистор 500МХз 600В бочни Н-канални широкопојасни преглед МРФ6ВП2600Х је дизајниран првенствено за широкопојасне апликације са фреквенцијама до 500 МХз. Уређај нема премца и погодан је за употребу у емитованим апликацијама. Карактеристике * Типичне ДВБ-Т ОФДМ перформансе: ВДД = 50 В, ИДК = 2600 мА, Излаз = 125 вата Прос., Ф = 225 МХз, Пропусни опсег канала = 7.61 МХз, Улазни сигнал ПАР = 9.3 дБ @ 0.01% вероватноће на ЦЦДФ-у. Појачање снаге: 25 дБ Ефикасност одвода: 28.5% АЦПР @ 4 МХз Помак: –61 дБц @ 4 кХз Пропусни опсег * Типичне импулсне перформансе: ВДД = 50 В, ИДК = 2600 мА, Поут = 600 Ваттс Пеак, ф = 225 МХз, ширина импулса = 100

детаљ

Претходна:ФМУСЕР оригинални нови МРФЕ6ВП61К25Х РФ транзистор снаге МОСФЕТ транзистор велике снаге ЛДМОС за 1000в ФМ предајник

следећи:ФМУСЕР Оригинал БЛФКСНУМКСКСР РФ Повер транзистор МОСФЕТ транзистор ЛДМОС КСНУМКСВ ХФ-КСНУМКСМХз

Цена (УСД)	Кти (ПЦС)	Схиппинг (УСД)	Укупно (УСД)	начин куповине	Плаћање
245	1	35	280	ДХЛ
				ДХЛ

ФМУСЕР Оригинални нови МРФКСНУМКСВПКСНУМКСХ РФ Повер Трансистор МОСФЕТ транзистор 500МХз 600В бочни Н-канални широкопојасни приступ

преглед

МРФКСНУМКСВПКСНУМКСХ је дизајниран првенствено за широкопојасне апликације са фреквенцијама до КСНУМКС МХз. Уређај је без премца и погодан је за употребу у апликацијама за емитовање.

Карактеристике

* Типичне ДВБ-Т ОФДМ перформансе: ВДД = 50 В, ИДК = 2600 мА, Поут = 125 В, прос., Ф = 225 МХз, пропусни опсег канала = 7.61 МХз, улазни сигнал ПАР = 9.3 дБ @ 0.01% вероватноће на ЦЦДФ.Појачавању снаге : 25 дБ Ефикасност одвода: 28.5% АЦПР @ 4 МХз Помак: –61 дБц @ 4 кХз пропусни опсег

* Типичне импулсне перформансе: ВДД = 50 волти, ИДК = 2600 мА, излив = 600 вати, ф = 225 МХз, ширина импулса = 100 µсек, радни циклус = 20% Добитак снаге: 25.3 дБ Ефикасност одвода: 59%

* Способан за руковање КСНУМКС-ом: КСНУМКС ВСВР, @ КСНУМКС Вдц, КСНУМКС МХз, КСНУМКС Ватт-ова максимална снага, Пулсе Видтх = КСНУМКС µсец, Дути Цицле = КСНУМКС%

* Карактеризирани су са серијским еквивалентним параметрима импедансе великог сигнала

* Могућност рада ЦВ са одговарајућим хлађењем

* Квалификовано до максимално 50 ВДД операција

* Интегрисани ЕСД заштита

* Дизајниран за Пусх-Пулл операцију

* Опсег напона великог негативног вратанца за побољшану функцију класе Ц

* РоХС сагласност

* У Тапе анд Реел. РКСНУМКС Суффик = КСНУМКС Јединице по КСНУМКС мм, КСНУМКС инцх Реел.

Спецификација

Фреквенција (мин.) (МХз): 2

Фреквенција (Мак) (МХз): КСНУМКС

Суппли Волтаге (Тип) (В): КСНУМКС

ПКСНУМКСдБ (Тип) (дБм): КСНУМКС

ПКСНУМКСдБ (тип) (В): КСНУМКС

Излазна снага (тип) (В) @ Интермодулацијски ниво код тест сигнала: КСНУМКС @ АВГ

Тест Сигнал: ОФДМ

Повер Гаин (Тип) (дБ) @ ф (МХз): КСНУМКС @ КСНУМКС

Ефикасност (тип) (%): КСНУМКС

Топлотна отпорност (Спец) (В / В): КСНУМКС

Матцхинг: унматцхед

Класа: АБ

Технологиа: ЛДМОС

Цена (УСД)	Кти (ПЦС)	Схиппинг (УСД)	Укупно (УСД)	начин куповине	Плаћање
245	1	35	280	ДХЛ
				ДХЛ

следећи:ФМУСЕР Оригинал БЛФКСНУМКСКСР РФ Повер транзистор МОСФЕТ транзистор ЛДМОС КСНУМКСВ ХФ-КСНУМКСМХз

Остави поруку

Листа порука

Коментари Учитавање ...