ФМУСЕР Оригинал БЛФ888А 600В 50В УХФ напајање ЛДМОС РФ транзистор снаге-РФ транзистор-ФМУСЕР ФМ / ТВ емитовање на једном месту

ФМУСЕР оригинални БЛФ888А 600В 50В УХФ напајање ЛДМОС РФ транзистор снаге Опис: ЛДВМ РФ транзистор снаге 600 В за примену у предајницима и индустријске примене. Изврсна робусност овог уређаја чини га идеалним за примену дигиталних и аналогних предајника. Карактеристике ● Одлична храпавост (ВСВР ≥ 40: 1 кроз све фазе) ● Оптимално термичко понашање и поузданост, Ртх (јц) = 0.15 К / В ● Погодно за ЦВ УХФ и ИСМ апликације ● Велика снага појачања ● Висока ефикасност ● Дизајниран за широкопојасни рад (470 МХз до 860 МХз) ● Интерно подударање улаза за велико појачање и оптималан рад широкопојасне мреже ● Изврсна поузданост ● Једноставно

детаљ

Претходна:ФМУСЕР МРФЕ6ВП5150Н РФ ЛДМОС транзистори високе робусности Н - побољшање канала - мод бочни МОСФЕТ транзистор

следећи:ФМУСЕР Оригинал МРФ173ЦК 28В 50мА 150МХз 80В РФ транзистор снаге МОСФЕТ транзистор Н-канал

Цена (УСД)	Кти (ПЦС)	Схиппинг (УСД)	Укупно (УСД)	начин куповине	Плаћање
296	1	0	296	ДХЛ
				ДХЛ

ФМУСЕР Оригинал БЛФ888А 600В 50В УХФ напајање ЛДМОС РФ напајање Транзистор

opis:

КСНУМКС В ЛДМОС РФ енергетски транзистор за примопредајнике и индустријске апликације. Изврсна робусност овог уређаја чини га идеалним за дигиталне и аналогне примене предајника.

Карактеристике

● Одлична храпавост (ВСВР ≥ 40: 1 кроз све фазе)
● Оптимално топлотно понашање и поузданост, Ртх (јц) = 0.15 К / В
● Погодно за ЦВ УХФ и ИСМ апликације
● Хигх повер добитак
● Висока ефикасност
● Дизајниран за широкопојасни рад (КСНУМКС МХз до КСНУМКС МХз)
● Унутрашње прилагођавање улаза за високу добит и оптималну широкопојасну операцију
● Одлична поузданост
● Еаси контрола снаге
● У складу са Директивом о ограничењу опасних супстанци (РоХС) 2002/95 / ЕЦ

aplikacije
● Примена комуникационих предајника у УХФ опсегу

● Индустријске апликације у УХФ опсегу

parametri

● симбол Параметар Услови Минимална Тип / Име: Макс Јединица
● Ф опсег фреквенцијски опсег: 470 860 МХз
● ПЛ (1дБ) номинална излазна снага: при компресији појачања од 1 дБ 600 IN
● Тест сигнал: ДВБ-Т (8к ОФДМ)
● Gp добитак снаге ВДС = 50 В; ф = 858 МХз 20 dB
Д. ефикасност одвода ВДС = 50 В; ф = 858 МХз; ИДк = 1.3 А. 31 %
● ПЛ (АВ) просечна излазна снага ВДС = 50 В; ф = 858 МХз 120 IN
● МДсхлдр интермодулационо изобличење слабљење рамена ф = 858 МХз [0] -КСНУМКС дБц
● BY однос врха и просека ф = 858 МХз [1] 7.8 dB
● Тип: РФ дискретни транзистори снаге
● Минимална фреквенција: КСНУМКС Гхз
● Мак фреквенција: КСНУМКС Гхз
● Излазна снага: КСНУМКС В.

● Појачање: КСНУМКС дБ

● Тип ефикасности%: 58