ФМУСЕР оригинални нови МРФ6ВП11КХ РФ транзистор снаге МОСФЕТ транзистор-РФ транзистор-ФМУСЕР ФМ / ТВ емитовање на једном месту

Оригинални нови ФМУСЕР МРФ6ВП11КХ РФ транзистор снаге МОСФЕТ транзистор ФМУСЕР МРФ6ВП11КХР6 дизајниран је првенствено за импулсне широкопојасне апликације са фреквенцијама до 150 МХз. Уређај нема премца и погодан је за употребу у индустријским, медицинским и научним применама. Карактеристике су типичне импулсне перформансе на 130 МХз: ВДД = 50 В, ИДК = 150 мА, Поут = 1000 В (макс. 200 В), ширина импулса = 100 µсец, радни циклус = 20% појачања: 26 дБ Ефикасност одвода: 71 % Способан за руковање 10: 1 ВСВР, при 50 Вдц, 130 МХз, 1000 В, вршна снага окарактерисана серијским еквивалентним параметрима импедансе великог сигнала ЦВ радна способност са одговарајућим хлађењем Квалификовано до максимално 50 ВДД рада Интегрисана ЕСД заштита

детаљ

Претходна:ФМУСЕР оригинални нови Д1029УК РФ транзистор снаге МОСФЕТ транзистор двоструки Н-канални МОСФЕТ, 35 А, 70 В, 5-пински ДР Д1029УК

следећи:ФМУСЕР оригинални нови МРФ6В2150НБ СМД РФ транзисторске цијеви високофреквентне цијев модул појачања снаге Снага МОСФЕТ транзистор

Цена (УСД)	Кти (ПЦС)	Схиппинг (УСД)	Укупно (УСД)	начин куповине	Плаћање
215	1	0	215	ДХЛ
				ДХЛ

ФМУСЕР оригинални нови МРФ6ВП11КХ РФ транзистор снаге Повер МОСФЕТ транзистор

ФМУСЕР МРФ6ВП11КХР6 је дизајниран првенствено за импулсне широкопојасне апликације са фреквенцијама до 150 МХз. Уређај нема премца и погодан је за употребу у индустријским, медицинским и научним применама.

Карактеристике

Типичне импулсне перформансе на 130 МХз: ВДД = 50 В, ИДК = 150 мА, Поут = 1000 В (макс. 200 В), ширина импулса = 100 µсец, радни циклус = 20%
Повећање снаге: 26 дБ
Оцедити ефикасност:% КСНУМКС
Способан за руковање КСНУМКС: КСНУМКС ВСВР, @ КСНУМКС Вдц, КСНУМКС МХз, КСНУМКС Ваттс Пеак Повер
Карактерише се параметри импедансе великих сигнала серије
Могућност рада ЦВ са одговарајућим хлађењем
Квалификован до максималне операције КСНУМКС ВДД
Интегрисани ЕСД заштита
Дизајниран за Пусх-Пулл операцију
Опсег напона великог негативног вратанца за побољшану функцију класе Ц
РоХС сагласност
У Тапе анд Реел. Р6 суфикс = 150 јединица по 56 мм, колут од 13 инча

Спецификација

Тип транзистора: ЛДМОС
Технологија: Си
Индустрија апликација: ИСМ, емитовање
Примена: научна, медицинска
ЦВ / пулс: ЦВ
Фреквенција: 1.8 до 150 МХз
Снага: 53.01 дБм
Снага (В): 199.99 В
П1дБ: 60.57дБм
Вршна излазна снага: 1000 В
Ширина импулса: 100 ус
Дути_Цицле: 0.2
Пораст снаге (Гп): 24 до 26 дБ
Улазни повратак: Губитак: -16 до -9 дБ
ВСВР: 10.00: 1
Поларитет: Н-канал
Напон напајања: 50 В
Праг напона: 1 до 3 Вдц
Напонски сигнал - одводни извор: 110 В
Напон - улазни извор: (Вгс): - 6 до 10 Вдц
Ефикасност одвода: 0.71
Одводна струја: 150 мА
Импеданса Зс: 50 Ома
Термички отпор: 0.03 ° Ц / В
Пакет: Тип: Прирубница
Паковање: ЦАСЕ375Д - 05 СТИЛ 1 НИ - 1230--4
РоХС: Да
Радна температура: 150 степени Ц.
Температура складиштења: -65 до 150 степени Ц.

Пакет садржи

1x МРФ6ВП11КХ РФ транзистор снаге

Цена (УСД)	Кти (ПЦС)	Схиппинг (УСД)	Укупно (УСД)	начин куповине	Плаћање
215	1	0	215	ДХЛ
				ДХЛ

Остави поруку

Листа порука

Коментари Учитавање ...